Wafer clean
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延伸文章資訊
- 1RCA clean 製程 - 弘塑科技股份有限公司
半導體晶圓製程中有五大污染物:微粒、金屬不純物、有機污染物、自然生成氧化層及 ... 常用化學品有SC-1(APM)、SC-2(HPM)、SPM、HF及BHF等,其成份與功能如下表所示。
- 2清洗製程
時機:幾乎所有製程之前或後,. 份量約佔所有製程步驟的30%. • 對資源的衝擊: ... HPM. • 約10 min. • 80-90℃. 80 90℃. – 每兩道清洗劑之間用去離子水(D.
- 3hpm製程 - 軟體兄弟
hpm製程,What is HPM? 什麼是HPM?High Density and High Performance Powder Metallurgy (HPM) Process 高密度高強...
- 4最常使用之晶圓表面清潔步驟為濕式化學法(wet chemistry)
在超大型積體電路(ULSI)製程中,晶圓洗淨之技術及潔淨度(Cleanliness) ,是影響晶圓製程. 良率(Yield) 、元件品質(Quality)及 ... SC-2(HPM). 氯化氫...
- 528奈米HPM製程